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三星发布第二代32层3D立体堆叠闪存

2013年8月,三星电子宣布批量投产全球第一个采用3D垂直设计的NAND闪存“V-NAND”。今天,三星又公布了第二代,堆叠的闪存竟然达到了32层,比第一代的24层又增加了三分之一。与此同时,三星还推出了一系列基于这种新...